ECH8420
mm
Outline Drawing
ECH8420-TL-H
Mass (g) Unit
0.02
* For reference
Land Pattern Example
0.65
0.4
Unit: mm
No.8993-6/7
相关PDF资料
ECH8601M-TL-H MOSFET N-CH 24V 8A ECH8
ECH8602M-TL-H MOSFET N-CH 30V 6A ECH8
ECH8649-TL-H MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A ECH8
ECH8651R-TL-HX MOSFET N-CH DUAL 24V 10A ECH8
ECH8651R-TL-H MOSFET N-CH DUAL 24V 10A ECH8
ECH8652-TL-H MOSFET P-CH 12V 6A ECH8
ECH8653-TL-H MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A ECH8
ECH8655R-TL-H MOSFET N-CH DUAL 24V 9A ECH8
相关代理商/技术参数
ECH8501 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Gate Drive Applications
ECH8501-TL-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP+NPN 5A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ECH8502 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Gate Drive Applications
ECH8502-TL-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP+NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ECH8503 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Motor Drive Applications
ECH8503-TL-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP+PNP 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ECH8504 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Motor Drive Applications
ECH8505 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Motor Drive Applications